EUV光源的制备:
❶高纯度锡(>99.999wt.%)在真空液滴发生器里每分钟连续产生超过300万个27μm的液滴。
❷二氧化碳激光器用产生连续脉冲照射锡液滴,滴形成电离子体,产生数千瓦EUV光。(LPP)
❸多重聚光镜系统将13.5nm光导引至光刻胶上,此过程中需要氢气保护镜头
❹曝光后以≤0.25 nm的分辨率定位晶圆。光源不动,晶圆工台自动调整。
费ASML这么大劲儿,就是一个目的:要生成用于光刻的13.5nm光。
中国在很多环节上做不到,做不精,于是釜底抽薪,在北京建设大型稳态微聚束同步加速器。2019年开建,现在主体工程差不多完成。
这玩意儿能直接输出13.5nm光,而不是光刻机那样层层过滤出来的光。而且可以输出各种光,5nm光,3.5nm光,1.5nm光……芯片厂说要有光,科学家设定各种新参数,于是有了光,有各种光。
除了北京的大型光设备,长光所也在制DPP,与LPP不一样。
中国两条腿走路,走的都不慢~
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